رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK2R4E08QM,S1X-DG
وصف:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
176 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965675
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK2R4E08QM,S1X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 2.2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13000 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR188LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
SIHA15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
