رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK31A60W,S4VX
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK31A60W,S4VX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
47 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
qome
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK31A60W,S4VX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK31A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX-DG
264-TK31A60W,S4VX
TK31A60WS4VX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF40N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1205
DiGi رقم الجزء
STF40N60M2-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA65R095C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
384
DiGi رقم الجزء
IPA65R095C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.62
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
TPCP8005-H(TE85L,F
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
TK3A65DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS