رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK33S10N1L,LQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
المخزون:
1997 قطع جديدة أصلية في المخزون
12943189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK33S10N1L,LQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2250 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK+
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK33S10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK33S10N1L,LXHQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3908
DiGi رقم الجزء
TK33S10N1L,LXHQ-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCC8136.LQ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
TK40J20D,S1F(O
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
