رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK3A60DA(Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
1 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890606
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK3A60DA(Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
380 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK3A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF6N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
963
DiGi رقم الجزء
STF6N62K3-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
TK3A60DA(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
