رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK40E06N1,S1X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK40E06N1,S1X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 40A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 67W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
38 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890638
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK40E06N1,S1X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
67W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TK40E06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK40E06N1S1X
TK40E06N1,S1X(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP80NF55-08
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
48
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-08-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRL3705NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1417
DiGi رقم الجزء
IRL3705NPBF-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
