رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK40P04M1(T6RSS-Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 40A DP
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 40A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12889260
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK40P04M1(T6RSS-Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVI-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1920 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK40P04
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK3R1P04PL,RQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
10623
DiGi رقم الجزء
TK3R1P04PL,RQ-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SQD50N05-11L_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SQD50N05-11L_GE3-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD64N4F6AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1260
DiGi رقم الجزء
STD64N4F6AG-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
TK20A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
