الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK4A60DB(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889194
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK4A60DB(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK4A60
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK4A60DB(STA4QM)
TK4A60DBSTA4QM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF4LN80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1998
DiGi رقم الجزء
STF4LN80K5-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1978
DiGi رقم الجزء
STF3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK1K9A60F,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK1K9A60F,S4X-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFIBC30GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1568
DiGi رقم الجزء
IRFIBC30GPBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF4N60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
1966
DiGi رقم الجزء
AOTF4N60L-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB