رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK4R1A10PL,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK4R1A10PL,S4X-DG
وصف:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
48 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920915
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK4R1A10PL,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6320 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
54W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK4R1A10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK4R1A10PL,S4X(S
264-TK4R1A10PLS4X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
