رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK6R7P06PL,RQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK6R7P06PL,RQ-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
22356 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK6R7P06PL,RQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1990 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
66W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK6R7P06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TK6R7P06PLRQCT
TK6R7P06PLRQ
TK6R7P06PLRQ(S2
TK6R7P06PLRQTR
TK6R7P06PLRQDKR
TK6R7P06PL,RQ(S2
TK6R7P06PL,RQTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8023-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOP
TPH6R003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
TK12A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS