رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TKR74F04PB,LXGQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TKR74F04PB,LXGQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 250A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
المخزون:
2284 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976629
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TKR74F04PB,LXGQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.74mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM(W)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
TKR74F04
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
TKR74F04PB,LXGQ(O
264-TKR74F04PBLXGQCT
264-TKR74F04PBLXGQTR
264-TKR74F04PBLXGQDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
HAT1044M-EL-E
HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE