TKR74F04PB,LXGQ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TKR74F04PB,LXGQ

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TKR74F04PB,LXGQ-DG

وصف:

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 250A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)

المخزون:

2284 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976629
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TKR74F04PB,LXGQ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.74mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM(W)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
TKR74F04

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
TKR74F04PB,LXGQ(O
264-TKR74F04PBLXGQCT
264-TKR74F04PBLXGQTR
264-TKR74F04PBLXGQDKR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

RJK5030DPD-03#J2

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

diotec-semiconductor

2N7002W

MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5

renesas-electronics-america

HAT1044M-EL-E

HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE

renesas-electronics-america

2SK3483-Z-AZ

2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN