رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC6008-H(TE85L,FM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC6008-H(TE85L,FM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
المخزون:
12890490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC6008-H(TE85L,FM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVI-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
VS-6 (2.9x2.8)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
TPC6008
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC6008HTE85LFM
TPC6008-H(TE85LFM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RTQ035N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
659
DiGi رقم الجزء
RTQ035N03TR-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SSM6K516NU,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5845
DiGi رقم الجزء
SSM6K516NU,LF-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMG2302UK-13
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
TPN30008NH,LQ
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPH7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
