رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC6012(TE85L,F,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC6012(TE85L,F,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
المخزون:
12890416
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC6012(TE85L,F,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSIV
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
VS-6 (2.9x2.8)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
TPC6012
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC6012(TE85LFM)
TPC6012TE85LFM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO6404
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
24754
DiGi رقم الجزء
AO6404-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SSM3K123TU,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
32499
DiGi رقم الجزء
SSM3K123TU,LF-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK40A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
TK10A60W,S4X
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
SSM3J353F,LF
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
