رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC6503(TE85L,F,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC6503(TE85L,F,M)-DG
وصف:
TRANS NPN 30V 1.5A VS-6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1.5 A 1.6 W Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
المخزون:
12891309
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC6503(TE85L,F,M) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVII
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
120mV @ 10mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
400 @ 150mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1.6 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
VS-6 (2.9x2.8)
رقم المنتج الأساسي
TPC6503
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC6503(TE85LFM)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA2154MFVGR,L3F
TRANS PNP 50V 0.15A VESM
2SD2406-Y(F)
TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
2SC5712(TE12L,F)
TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
