رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC8035-H(TE12L,QM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
المخزون:
12891003
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC8035-H(TE12L,QM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVI-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7800 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP (5.5x6.0)
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
رقم المنتج الأساسي
TPC8035
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC8035-HTE12LQMDKR
TPC8035HTE12LQM
TPC8035-HTE12LQMTR
TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
