TPC8405(TE12L,Q,M)

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TPC8405(TE12L,Q,M)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TPC8405(TE12L,Q,M)-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12890670

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

TPC8405(TE12L,Q,M) المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6A, 4.5A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

26mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

27nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1240pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

450mW

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SOP (5.5x6.0)

رقم المنتج الأساسي

TPC8405

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6P49NU,LF

MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN

diodes

DMG6968UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCF8201(TE85L,F,M

MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8