رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
المخزون:
12891894
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC8A02-H(TE12L,Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1970 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP (5.5x6.0)
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
رقم المنتج الأساسي
TPC8A02
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3010LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2390
DiGi رقم الجزء
DMN3010LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF8113TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1665
DiGi رقم الجزء
IRF8113TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSO040N03MSGXUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2438
DiGi رقم الجزء
BSO040N03MSGXUMA1-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN61D8LQ-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
DMN3016LK3-13
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252