TPCA8A01-H(TE12L,Q
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TPCA8A01-H(TE12L,Q-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 36A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

المخزون:

12891593
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TPCA8A01-H(TE12L,Q المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1970 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPCA8A01

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RMW130N03TB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
4815
DiGi رقم الجزء
RMW130N03TB-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17552Q3A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
2037
DiGi رقم الجزء
CSD17552Q3A-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TK65S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

diodes

DMG10N60SCT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON