الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPCA8A02-H(TE12LQM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPCA8A02-H(TE12LQM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 34A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12890554
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPCA8A02-H(TE12LQM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSV-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
34A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.3mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3430 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPCA8A02
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TPCA8A02-H
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RJK03M4DPA-00#J5A
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
6000
DiGi رقم الجزء
RJK03M4DPA-00#J5A-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AON7534
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
115635
DiGi رقم الجزء
AON7534-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSZ0589NSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4792
DiGi رقم الجزء
BSZ0589NSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AON6558
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
59437
DiGi رقم الجزء
AON6558-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RQ3E180BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5274
DiGi رقم الجزء
RQ3E180BNTB-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8016-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
TPCA8057-H,LQ(M
MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP
TPN6R003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
TK8A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS