رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH1400ANH,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH1400ANH,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
12890940
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH1400ANH,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH1400
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH1400ANHL1QTR
TPH1400ANHL1Q
TPH1400ANH,L1Q(M
TPH1400ANHL1QCT
TPH1400ANHL1QDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMT8012LFG-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT8012LFG-13-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
