رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH2R506PL,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH2R506PL,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
4636 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890674
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH2R506PL,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5435 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
132W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH2R506
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QDKR
TPH2R506PLL1QTR
TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1QCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK5Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPH6R004PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP