رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH2R608NH,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH2R608NH,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
67828 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890874
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH2R608NH,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 37.5 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
142W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH2R608
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NHL1QDKR
TPH2R608NHL1QTR
TPH2R608NHL1QCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3K341R,LF
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
SSM3K15FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
SSM5N15FE(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
