رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH3R203NL,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH3R203NL,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 47A (Tc) 1.6W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
8479 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890453
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH3R203NL,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 44W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH3R203
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH3R203NLL1QTR
TPH3R203NL,L1QDKR
TPH3R203NL,L1QDKR-DG
TPH3R203NL,L1QTR
TPH3R203NL,L1QCT-DG
TPH3R203NL,L1QTR-DG
TPH3R203NLL1QDKR
TPH3R203NLL1QCT
TPH3R203NL,L1QCT
TPH3R203NL,L1Q(M
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
TPCA8103(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
