رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH6400ENH,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH6400ENH,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
17990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890818
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH6400ENH,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH6400
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH6400ENHL1QCT
TPH6400ENHL1QDKR
TPH6400ENH,L1Q(M
TPH6400ENH,L1QDKR
TPH6400ENH,L1QTR-DG
TPH6400ENH,L1QCT-DG
TPH6400ENH,L1QTR
TPH6400ENH,L1QDKR-DG
TPH6400ENHL1QTR
TPH6400ENH,L1QCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4016(Q)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
