رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPN2R203NC,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPN2R203NC,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
المخزون:
5468 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890740
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPN2R203NC,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2230 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.1x3.1)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN2R203
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPN2R203NCL1QDKR
TPN2R203NC,L1QTR-DG
TPN2R203NCL1QCT
TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NCL1QTR
TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1QCT-DG
TPN2R203NC,L1QDKR-DG
TPN2R203NC,L1QTR
TPN2R203NC,L1QDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK31E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
TK14A45DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP