رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TTA004B,Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TTA004B,Q-DG
وصف:
TRANS PNP 160V 1.5A TO126N
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1.5 A 100MHz 10 W Through Hole TO-126N
المخزون:
12890700
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TTA004B,Q المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
140 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
10 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126N
رقم المنتج الأساسي
TTA004
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
اسماء اخرى
TTA004BQS
TTA004BQ(S
TTA004B,Q(S
TTA004BQ
TTA004BQ(S-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC4117-BL,LF
TRANS NPN 120V 0.1A SC70
2SA965-O,F(J
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
2SA1930(LBS2MATQ,M
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS