رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TTC008(Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TTC008(Q)-DG
وصف:
TRANS NPN 285V 1.5A PW-MOLD2
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 285 V 1.5 A 1.1 W Through Hole PW-MOLD2
المخزون:
150 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890582
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TTC008(Q) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
285 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 62.5mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 1mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD2
رقم المنتج الأساسي
TTC008
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
200
اسماء اخرى
TTC008Q
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TTA1713-Y,LF
TRANS PNP 45V 0.5A SMINI
2SC4881,LS1SUMIF(M
TRANS NPN 50V 5A TO220NIS
2SC2229-Y(MIT,F,M)
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD