TTC1949-GR,LF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TTC1949-GR,LF

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TTC1949-GR,LF-DG

وصف:

TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 100MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

المخزون:

8405 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891094
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TTC1949-GR,LF المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
180 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
S-Mini
رقم المنتج الأساسي
TTC1949

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TTC1949-GRLFTR
TTC1949-GRLFCT
TTC1949-GR,LF(B
TTC1949-GRLFDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TMBT3904,LM

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4604,F(J

TRANS NPN 50V 3A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3668-O,T2CLAF(J

TRANS NPN 50V 2A MSTM