رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
XPH3R114MC,L1XHQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
XPH3R114MC,L1XHQ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 100A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
9230 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938226
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
XPH3R114MC,L1XHQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+10V, -20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9500 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960mW (Ta), 170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
XPH3R114
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
XPH3R114MC,L1XHQ(O
264-XPH3R114MCL1XHQTR
264-XPH3R114MCL1XHQCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
AOUS66414
MOSFET N-CH 40V 40A/92A ULTRASO8
RFD15N06LESM
N-CHANNEL POWER MOSFET
