رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TP65H070LDG-TR
Product Overview
المُصنّع:
Transphorm
رقم الجزء DiGi Electronics:
TP65H070LDG-TR-DG
وصف:
650 V 25 A GAN FET
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
المخزون:
1651 قطع جديدة أصلية في المخزون
13001158
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TP65H070LDG-TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Transphorm
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TP65H070L
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.8V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
3-PQFN (8x8)
العبوة / العلبة
3-PowerDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
SUM70042M-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
