رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH3206LDGB
Product Overview
المُصنّع:
Transphorm
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH3206LDGB-DG
وصف:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
المخزون:
13446770
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH3206LDGB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Transphorm
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±18V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760 pF @ 480 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
81W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
3-PQFN (8x8)
العبوة / العلبة
3-PowerDFN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
60
اسماء اخرى
TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TP65H150G4LSG
المُصنِّع
Transphorm
الكمية المتاحة
2939
DiGi رقم الجزء
TP65H150G4LSG-DG
سعر الوحدة
2.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFA22N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
250
DiGi رقم الجزء
IXFA22N65X2-DG
سعر الوحدة
2.56
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPH3212PS
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
