SI2307A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI2307A

Product Overview

المُصنّع:

UMW

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI2307A-DG

وصف:

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

المخزون:

2792 قطع جديدة أصلية في المخزون
12991424
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SI2307A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
UMW
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UMW
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
565 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
4518-SI2307ADKR
4518-SI2307ATR
4518-SI2307ACT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
utd-semiconductor

AO3416A

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

utd-semiconductor

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET