رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FB180SA10
Product Overview
المُصنّع:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
رقم الجزء DiGi Electronics:
FB180SA10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
المخزون:
12843939
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FB180SA10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 108A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
FB180
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
اسماء اخرى
VS-FB180SA10-DG
VS-FB180SA10
VSFB180SA10-DG
*FB180SA10
VSFB180SA10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDP4060L
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
AONR21117
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
NVMFS6B03NLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN