IRF644PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF644PBF

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF644PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

المخزون:

1392 قطع جديدة أصلية في المخزون
12911796
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRF644PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF644

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF644PBF

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRF9620PBF

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIZ44G

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

littelfuse

IXTH8P50

MOSFET P-CH 500V 8A TO247

vishay-siliconix

SI4888DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO