رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF730
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF730-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12858464
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF730 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF730
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRF730
IRF730IR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP11NK40Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
78
DiGi رقم الجزء
STP11NK40Z-DG
سعر الوحدة
0.75
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF730PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
23512
DiGi رقم الجزء
IRF730PBF-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP7NK40Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
9050
DiGi رقم الجزء
STP7NK40Z-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS5C423NLT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
RFD16N06LESM9A
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
NTP5860NG
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
