رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF730S
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF730S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12906615
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF730S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF730
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF730S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF730SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF730SPBF-DG
سعر الوحدة
1.00
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STB11NK40ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4196
DiGi رقم الجزء
STB11NK40ZT4-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLI530G
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
IRFL9014
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
IXTN22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
