رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF740STRR
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF740STRR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12911306
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF740STRR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF740
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF740STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
10870
DiGi رقم الجزء
IRF740STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRF740STRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF740STRRPBF-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STB11NK40ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4196
DiGi رقم الجزء
STB11NK40ZT4-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF737LCL
MOSFET N-CH 300V 6.1A I2PAK
IRF9640L
MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
IXFA30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
