رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF840PBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF840PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
2939 قطع جديدة أصلية في المخزون
12906363
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF840PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF840
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF840PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFBF30L
MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
IRFIB6N60A
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
ZVN4206ASTOA
MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
