رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9630STRL
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9630STRL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12858751
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9630STRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF9630
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9630STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1180
DiGi رقم الجزء
IRF9630STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
SIHF9630STRL-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
785
DiGi رقم الجزء
SIHF9630STRL-GE3-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C404NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
NTMFS4922NET1G
MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
NVMFS5C404NLT1G
MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
