رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9Z24S
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9Z24S-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 11A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12908504
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9Z24S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF9
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF9Z24S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SPB18P06PGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2030
DiGi رقم الجزء
SPB18P06PGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF9Z24SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
3763
DiGi رقم الجزء
IRF9Z24SPBF-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR9024TRL
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRFZ20PBF
MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
IRFR220PBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
