رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFBC40SPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFBC40SPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12906465
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFBC40SPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFBC40
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFBC40SPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11994
DiGi رقم الجزء
STB6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD7ANM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3584
DiGi رقم الجزء
STD7ANM60N-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
R6004KNJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
R6004KNJTL-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
IRFL31N20D
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
IXKH47N60C
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
