رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFBE20S
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFBE20S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12881247
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFBE20S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
530 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFBE20
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRFBE20S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB7NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4410
DiGi رقم الجزء
STB7NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9640S
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
STU4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
STL60N10F7
MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT