رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFBF20STRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFBF20STRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1416 قطع جديدة أصلية في المخزون
12908990
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFBF20STRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
490 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFBF20
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
IRFBF20STRLPBFTR
742-IRFBF20STRLPBFCT
IRFBF20STRLPBFCT
IRFBF20STRLPBFDKR
742-IRFBF20STRLPBFTR
742-IRFBF20STRLPBFDKR
IRFBF20STRLPBFCT-DG
IRFBF20STRLPBFDKR-DG
IRFBF20STRLPBFTR-DG
IRFBF20STRLPBF-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IRF730SPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRFD310PBF
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
