الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFBG20
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFBG20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12910283
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFBG20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
54W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFBG20
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IRFBG20
ورقة بيانات HTML
IRFBG20-DG
أوراق البيانات
IRFBG20,SiHFBG20
Packaging Information
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFBG20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP1R4N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP1R4N100P-DG
سعر الوحدة
1.78
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBG20PBF-BE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1770
DiGi رقم الجزء
IRFBG20PBF-BE3-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXTP1N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
142
DiGi رقم الجزء
IXTP1N100P-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP2NK100Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
738
DiGi رقم الجزء
STP2NK100Z-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBG20PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1421
DiGi رقم الجزء
IRFBG20PBF-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU110
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
IRF744L
MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK
IRFSL9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
IRFR9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK