IRFD320PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFD320PBF

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFD320PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 490mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

المخزون:

303 قطع جديدة أصلية في المخزون
12906540
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFD320PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
490mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 210mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
4-HVMDIP
العبوة / العلبة
4-DIP (0.300", 7.62mm)
رقم المنتج الأساسي
IRFD320

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
100
اسماء اخرى
*IRFD320PBF

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFR310PBF

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

rohm-semi

RTL030P02TR

MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

diodes

ZVNL120CSTZ

MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE

littelfuse

IXFA5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO263