IRFI9Z24G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFI9Z24G

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFI9Z24G-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 8.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12867163
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFI9Z24G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IRFI9

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFI9Z24G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFI9Z24GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFI9Z24GPBF-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFPG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3

vishay-siliconix

IRC740PBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220-5

nxp-semiconductors

BUK652R7-30C,127

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

littelfuse

IXFK21N100F

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264