IRFP360PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFP360PBF

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFP360PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 23A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC

المخزون:

2246 قطع جديدة أصلية في المخزون
12953965
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFP360PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
280W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRFP360

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
*IRFP360PBF

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVTFS6H888NLWFTAG

MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN

onsemi

NTMFS015N15MC

MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN

rohm-semi

R6004PND3FRATL

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

taiwan-semiconductor

TQM250NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU