IRFR010PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFR010PBF

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFR010PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 8.2A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount DPAK

المخزون:

2882 قطع جديدة أصلية في المخزون
12869242
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFR010PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRFR010

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFR010PBF

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFBC40ASTRLPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFB11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

microchip-technology

TN0604N3-G

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

vishay-siliconix

IRF9520STRRPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK