رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR1N60ATRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR1N60ATRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
5289 قطع جديدة أصلية في المخزون
12912831
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR1N60ATRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
229 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRFR1
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IRFR1N60ATRPBF-DG
IRFR1N60APBFTR
*IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60APBFDKR
IRFR1N60ATRPBFTR-DG
IRFR1N60APBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
IRFZ34
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRL510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
