رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS11N50A
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS11N50A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12912093
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS11N50A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1423 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFS11
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFS11N50A
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS11N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
417
DiGi رقم الجزء
IRFS11N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXTA12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
24
DiGi رقم الجزء
IXTA12N50P-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB11NK50ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
872
DiGi رقم الجزء
STB11NK50ZT4-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI5475BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
3N163-E3
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
IRFU9010
MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
