رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFSL11N50APBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFSL11N50APBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
المخزون:
12961241
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFSL11N50APBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1426 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRFSL11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFSL11N50APBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRA00DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252